Σπίτι
>
ΠΡΟΪΟΝΤΑ
>
Υπόστρωμα SIC
>
|
| Τόπος καταγωγής | Κίνα |
| Μάρκα | ZMSH |
| Πιστοποίηση | rohs |
| Αριθμό μοντέλου | SIC010 |
Τα υλικά καρβιδίου του πυριτίου έχουν προοπτική στους πολυάριθμους τομείς, για παράδειγμα, τη μεγάλη ράγα, την αυτοκίνητη ηλεκτρονική, τα έξυπνα πλέγματα, τους φωτοβολταϊκούς αναστροφείς, βιομηχανικό ηλεκτρομηχανικό, τα κέντρα δεδομένων, τα άσπρα αγαθά, τα καταναλωτικά ηλεκτρονικά, την επικοινωνία 5G, τις επιδείξεις επόμενης γενιάς, κ.λπ. Από την άποψη εφαρμογής, οι εφαρμογές των υλικών καρβιδίου του πυριτίου μπορούν να διαιρεθούν σε τρεις κατηγορίες, χαμηλή τάση, μέση τάση, και υψηλή τάση.
Στον τομέα χαμηλής τάσης, οι κύριες εφαρμογές εντοπίζουν στα καταναλωτικά ηλεκτρονικά, όπως την παροχή PFC και ηλεκτρικού ρεύματος. Για να δώσουν ένα παράδειγμα, Xiaomi και Huawei έχουν αρχίσει να χρησιμοποιούν τις συσκευές νιτριδίων γαλλίου στους γρήγορους φορτιστές τους.
Στο μέσο τομέα τάσης, οι εφαρμογές είναι κυρίως κατά την αυτοκίνητη ηλεκτρονική, τη μεταφορά ραγών και τα πλέγματα ισχύος υψηλότερης τάσης (πλέγμα ισχύος με την τάση άνω των 3300V). Το τέσλα ήταν ένας από τους πρώτους αυτοκίνητους κατασκευαστές για να προσαρμόσει τις συσκευές καρβιδίου του πυριτίου, τις οποίες χρησιμοποίησε για το πρότυπό του 3.
Οι δίοδοι και MOSFETs τα προϊόντα του καρβιδίου του πυριτίου που αποκτήθηκαν αναπτύχθηκαν πολύ ώριμα και είναι τώρα εξοπλισμένες και εφαρμοσμένες στους τομείς χαμηλής και μέσης τάσης.
Για τον τομέα υψηλής τάσης, το καρβίδιο του πυριτίου έχει τα διαπρεπή χαρακτηριστικά του, ακόμα κι αν ένα ώριμο προϊόν πρέπει να προωθηθεί ακόμα. Ο κόσμος είναι τώρα στο στάδιο της έρευνας και να αναπτυχθεί για αυτόν τον τομέα.
Το καλύτερο σενάριο εφαρμογής του καρβιδίου του πυριτίου είναι ηλεκτρικοί φορείς. Η ηλεκτρική ενότητα κίνησης Toyotas (το μέρος κλειδί των ηλεκτρικών οχημάτων) μειώνει το μέγεθος των συσκευών καρβιδίου του πυριτίου από 50% ή περισσότεροι έναντι πυρίτιο-βασισμένου στην IGBTs. Επιπλέον, η ενεργειακή πυκνότητα του καρβιδίου του πυριτίου είναι δύο φορές περισσότερο απ' ό, τι αυτό πυρίτιο-βασισμένου στην IGBTs. Αυτό έχει προσελκύσει επίσης διάφορους κατασκευαστές για να επιλέξει το καρβίδιο του πυριτίου, που προσφέρει τους περισσότερο διάστημα για να ταιριάξει σε άλλα συστατικά λόγω του βελτιστοποιημένου σχεδιαγράμματος των συστατικών.
Υπάρχουν πολυάριθμα πλεονεκτήματα στη χρησιμοποίηση του καρβιδίου του πυριτίου πέρα από τα παραδοσιακότερα υποστρώματα πυριτίου. Ένα από τα σημαντικότερα πλεονεκτήματα είναι η σκληρότητά του, η οποία δίνει στο υλικό πολλά πλεονεκτήματα στις υψηλής θερμοκρασίας ή/και υψηλής τάσης εφαρμογές υψηλής ταχύτητας. Οι γκοφρέτες καρβιδίου του πυριτίου έχουν την υψηλή θερμική αγωγιμότητα, ποια μέσα μπορούν να μεταφέρουν τη θερμότητα από ένα σημείο σε άλλο καλά, που βελτιώνει την ηλεκτρική αγωγιμότητα και τελικά τη μικρογράφησή της.
Τα υποστρώματα καρβιδίου του πυριτίου έχουν επίσης έναν χαμηλό συντελεστή για τη θερμική επέκταση, που σημαίνει ότι δεν αλλάζει σημαντικά σε μέγεθος ή δεν διαμορφώνει καθώς θερμαίνει επάνω ή δροσίζει κάτω. Έχουν τη δυνατότητα να αλλάξουν τις θερμοκρασίες γρήγορα χωρίς το σπάσιμο ή ράγισμα, και είναι ιδιαίτερα ανθεκτικοί στο θερμικό κλονισμό, που δίνει τους ένα σαφές πλεονέκτημα κατά την κατασκευή των συσκευών. Συν τοις άλλοις, είναι ένα πολύ ανθεκτικό υπόστρωμα και δεν αντιδρούν με τα οξέα, τα αλκάλια ή τα λειωμένα άλατα στις θερμοκρασίες μέχρι 800°C.
Η δύναμή της στις υψηλές θερμοκρασίες επιτρέπει επίσης στα υποστρώματα καρβιδίου του πυριτίου για να λειτουργήσει ακίνδυνα στις θερμοκρασίες άνω των 1600°C, που καθιστούν το κατάλληλο για ουσιαστικά οποιαδήποτε υψηλής θερμοκρασίας εφαρμογή. Αυτές οι προδιαγραφές - δομή κρυστάλλου Polytype, θερμική αγωγιμότητα (ν-τύπος 0,020 Ω*cm), παράμετροι δικτυωτού πλέγματος, μονοκρυσταλλικό 4H, υποστηριγμένες διάμετροι, Bandgap, θερμική αγωγιμότητα (HPSI) και σκληρότητα Mohs - δώστε στις γκοφρέτες καρβιδίου του πυριτίου το ιδιαίτερο πλεονέκτημά τους πέρα από τα παραδοσιακά μαζικά υποστρώματα πυριτίου.
4H-SiC* και το 6H-SIC ** είναι και το δύο υλικό ημιαγωγών με ένα ευρύ φάσμα της διαμέτρου, από 50.8mm (2») σε 200mm (8inch). Ο τύπος και το υλικό πρόσμιξης σε κάθε ένας από τους είναι N/Nitrogen/intrinsic/HPSI. Για την ειδική αντίσταση, το 4H-SIC έχει μια σειρά .015 - .028 ohm*cm, ενώ το 6H-SIC έχει περισσότερο, ο οποίος είναι >1E7 ohm*cm. Όσον αφορά στο γενικό πάχος τους, και οι δύο έχουν 250um - 15,000um ή 15mm. Κανένα θέμα που ο τύπος του SIC, επιφάνεια τελειώνει ισχύων και για τους δύο τύπους δεν είναι ενιαία ή διπλή πλευρά που γυαλίζεται. Η ακολουθία συσσώρευσης τους είναι ABCB (4H-SiC*) και ABCACB (6H-SIC **). Οι διηλεκτρικές σταθερές είναι 9,6 και 9,66 για 4H-SiC* και το 6H-SIC ** αντίστοιχα, ενώ η κινητικότητα ηλεκτρονίων 4H-SiC* είναι 800 cm2/V*S και αυτές του 6H-SIC ** είναι 400 ευχαριστίες cm2/V*S. για τις κοινές ιδιότητές τους, η πυκνότητά τους είναι τα ίδια με 3,21 · 103 kg/m3.
Το υπόστρωμα ZMSH SIC010 SIC είναι μια ιδανική επιλογή για τα τσιπ μεγέθους SIC συνήθειας, τα πιάτα μεγέθους συνήθειας, 1x1cm, 0.5x0.5mm 5x5mm, με την υψηλή τάση διακοπής 5,5 MV/cm, την άριστη λειότητα επιφάνειας λ/το 10@632.8nm, την καλή εκτατή δύναμη >400MPa, monocrystal SIC το υπόστρωμα, την πιστοποίηση ROHS και τις ανταγωνιστικές τιμές. Χρησιμοποιείται ευρέως σε ποικίλες εφαρμογές, όπως ο ημιαγωγός, η ηλεκτρονική, οπτικοηλεκτρονικός, των οδηγήσεων, κ.λπ. Οι άριστες ιδιότητές της το κάνουν την ιδανική επιλογή για πολλές βιομηχανίες.
Το υπόστρωμα ZMSH SIC010 SIC προσφέρει την ανώτερες απόδοση και την αξιοπιστία, με μια ανίκητη τιμή. Αποτελείται από υψηλό - ποιοτικό monocrystal SIC υλικό, και έχει την άριστη ηλεκτρική και θερμική απόδοση, που κάνει την μια ιδανική επιλογή για τις διάφορες βιομηχανίες. Είναι επίσης RoHS επικυρωμένο, το οποίο εξασφαλίζει την ασφάλεια και την αξιοπιστία. Το μεγάλο μέγεθός του μπορεί να προσαρμοστεί για να ικανοποιήσει τις ανάγκες του πελάτη.
Το υπόστρωμα ZMSH SIC010 SIC είναι η τέλεια επιλογή για εκείνους που ψάχνουν μια αξιόπιστη και οικονομικώς αποδοτική λύση για την αίτησή τους. Με μια ελάχιστη ποσότητα διαταγής 10 κομματιών, είναι διαθέσιμο με τις ανταγωνιστικές τιμές και το γρήγορο χρόνο παράδοσης 30 ημερών. Έχει επίσης μια άριστη ικανότητα ανεφοδιασμού 1000 κομματιών το μήνα.
Εμπορικό σήμα: ZMSH
Πρότυπος αριθμός: SIC010
Θέση προέλευσης: ΚΙΝΑ
Πιστοποίηση: RoHS
Ελάχιστη ποσότητα διαταγής: 10pc
Τιμή: από την περίπτωση
Λεπτομέρειες συσκευασίας: Πλαστικό κιβώτιο Customzied
Χρόνος παράδοσης: Σε 30days
Όροι πληρωμής: T/T
Δυνατότητα ανεφοδιασμού: 1000pc/month
Υλικό πρόσμιξης: ΑΠΡΟΣΔΙΟΡΙΣΤΟΣ
Λειότητα επιφάνειας: λ/το 10@632.8nm
Υλικό: Monocrystal SIC
Τάση διακοπής: 5.5 MV/cm
Συμπιεστική δύναμη: >1000MPa
Χαρακτηριστικά γνωρίσματα: 10x10mm 5x5mm, τα πιάτα μορφής SIC, 4h-ημι γκοφρέτα HPSI SIC
pport και υπηρεσίες:Παρέχουμε τη τεχνική υποστήριξη και την υπηρεσία για το υπόστρωμα SIC. Η ομάδα εμπειρογνωμόνων μας μπορεί να σας βοηθήσει με οποιαδήποτε ερωτήσεις ή ζητήματα σχετικές με το προϊόν. Οι αντιπρόσωποι εξυπηρέτησης πελατών μας είναι διαθέσιμο 24/7 για να απαντήσουν σε οποιεσδήποτε ερωτήσεις ή ανησυχίες που μπορείτε να έχετε. Προσφέρουμε επίσης τις επισκευές και τη συντήρηση στο υπόστρωμα SIC για να εξασφαλίσουμε ότι το προϊόν σας λειτουργεί κατάλληλα και στο βέλτιστο όρο. Εάν έχετε οποιεσδήποτε ερωτήσεις, παρακαλώ αισθανθείτε ελεύθερος να μας έρθει σε επαφή με.
Μας ελάτε σε επαφή με ανά πάσα στιγμή
