Ημι - μονώνοντας υπόστρωμα καρβιδίου του πυριτίου, υψηλή αγνότητα γκοφρετών 4H SIC

4H ημιμονωτικά υποστρώματα αγνότητας 4inch SIC Substrateshigh καρβιδίου του πυριτίου υψηλής αγνότητας, υποστρώματα καρβιδίου του πυριτίου 4inch για τα υποστρώματα ημιαγωγών 4inch SIC, υποστρώματα καρβιδίου του πυριτίου για το semconductor, γκοφρέτες ενιαίου κρυστάλλου SIC, πλινθώματα SIC για τον πολύτιμο λίθο

Εφαρμογές των υποστρωμάτων και των γκοφρετών κρυστάλλου SIC

Τα crytsals καρβιδίου του πυριτίου (SIC) έχουν τις μοναδικές φυσικές και ηλεκτρονικές ιδιότητες. Οι βασισμένες στο καρβίδιο συσκευές πυριτίου είναι χρησιμοποιημένο για συντομία μήκος κύματος οπτικοηλεκτρονικό, υψηλής θερμοκρασίας, ανθεκτικά applciations ακτινοβολίας. Οι υψηλής ισχύος και υψηλής συχνότητας ηλεκτρονικές συσκευές που γίνονται με το SIC είναι ανώτερες από το Si και βασισμένες τις GaAs συσκευές. Κατωτέρω είναι μερικές δημοφιλείς εφαρμογές των υποστρωμάτων SIC.

Υψηλής θερμοκρασίας συσκευές

Επειδή το SIC έχει μια υψηλή θερμική αγωγιμότητα, το SIC διαλύει τη θερμότητα γρηγορότερα από άλλα υλικά ημιαγωγών. Αυτό επιτρέπει στις συσκευές SIC για να χρησιμοποιηθεί εξαιρετικά σε επίπεδα υψηλής δύναμης και να διαλύσει ακόμα την υπερβολική θερμότητα μεγάλων ποσών που παράγεται από τις συσκευές.

Συσκευές δύναμης υψηλής συχνότητας

Η sic-βασισμένη στο ηλεκτρονική μικροκυμάτων χρησιμοποιείται για τις ασύρματα επικοινωνίες και το ραντάρ.

IIIV απόθεση νιτριδίων

Κρυσταλλικά στρώματα GaN, AlxGa1-xN και InyGa1-yN στο υπόστρωμα SIC ή το υπόστρωμα σαπφείρου.

Η επιταξία νιτριδίων γαλλίου στα πρότυπα SIC χρησιμοποιείται για να κατασκευάσει τις μπλε εκπέμπουσες φως διόδους (μπλε οδηγήσεις) και και σχεδόν τους ηλιακούς τυφλούς UV φωτοανιχνευτές

Οπτικοηλεκτρονικές συσκευές

Βασισμένες οι στο SIC συσκευές έχουν το χαμηλό κακό συνδυασμό δικτυωτού πλέγματος με τα κρυσταλλικά στρώματα ΙΙΙ-νιτριδίων. Έχουν την υψηλή θερμική αγωγιμότητα και μπορούν να χρησιμοποιηθούν για τον έλεγχο των διαδικασιών καύσης και για όλα τα είδη της UV-ανίχνευσης.

Οι sic-βασισμένες στο συσκευές ημιαγωγών μπορούν να λειτουργήσουν στο πλαίσιο των πολύ εχθρικών περιβαλλόντων, όπως υψηλής θερμοκρασίας, η υψηλή δύναμη, και οι υψηλοί όροι ακτινοβολίας.

Συσκευές υψηλής δύναμης

Το SIC έχει τις ακόλουθες ιδιότητες:

Ευρύς τομέας διακοπής ενεργειακού Bandgap υψηλός ηλεκτρικός    

Υψηλή υψηλή θερμική αγωγιμότητα ταχύτητας κλίσης κορεσμού

Το SIC χρησιμοποιείται για την επεξεργασία των πολύ υψηλής τάσεως και υψηλής ισχύος συσκευών όπως οι δίοδοι, τα transitors δύναμης, και οι συσκευές μικροκυμάτων υψηλής δύναμης. Έναντι των συμβατικών Si-συσκευών, οι SIC-βασισμένες στον συσκευές ισχύος έχουν τις γρηγορότερες υψηλότερες τάσεις ταχύτητας μετατροπής, χαμηλότερες παρασιτικές αντιστάσεις, μικρότερο μέγεθος, λιγότερη ψύξη που απαιτείται λόγω της υψηλής θερμοκρασίας ικανότητας.

Το SIC έχει την υψηλότερη θερμική αγωγιμότητα από GaAs ή την έννοια Si που οι συσκευές SIC μπορούν θεωρητικά να ενεργοποιήσουν στις πυκνότητες υψηλότερης ισχύος από είτε GaAs είτε το Si. Η υψηλότερη θερμική αγωγιμότητα που συνδυάζονται με το ευρύ bandgap και ο υψηλός κρίσιμος τομέας δίνουν στους ημιαγωγούς SIC ένα πλεονέκτημα όταν η υψηλή δύναμη είναι ένα βασικό επιθυμητό χαρακτηριστικό γνώρισμα συσκευών.

Αυτήν την περίοδο το καρβίδιο του πυριτίου (SIC) χρησιμοποιείται ευρέως για τη υψηλή δύναμη MMIC

εφαρμογές. Το SIC χρησιμοποιείται επίσης ως υπόστρωμα για την κρυσταλλική αύξηση GaN για ακόμα την υψηλότερη δύναμη MMIC τις συσκευές

2. μέγεθος υποστρωμάτων των προτύπων

3. Εικόνες